2021年9月14日,2021中國閃存市場峰會(CFMS)如期在深圳召開,今年的主題為“存儲標準·存儲生態”。這場高規格的峰會,邀請了全球存儲產業鏈及終端應用企業共同探討全球化芯片
短缺局面下半導體存儲行業的發展,江波龍電子旗下行業類存儲品牌FORESEE和國際高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙雙雙亮相。此次電子發燒友采訪到了深圳市江波龍電子股份有限公司企業級數據存儲事業部總經理陶維毅。
布局FORESEE、Lexar雷克沙雙品牌
據陶維毅介紹,FORESEE創立于2011年,主要面向行業類的客戶。而Lexar雷克沙商標在2017年被江波龍電子收購,是面向高端消費類的全球性存儲品牌。雙品牌的布局也意味著江波龍電子在消費級、工規級、企業級、車規級的“全面開花”。江波龍電子在存儲領域深耕二十余年,擁有豐富的技術積累,在與NAND Flash相關的eMMC、SSD等相關產品線已經運營成熟,并在去年開拓
DRAM產品線,目前業務發展良好。
江波龍企業級數據存儲事業部總經理陶維毅
江波龍電子收購Lexar雷克沙商標時,Lexar雷克沙已經有21年的
歷史。二十多年來,Lexar雷克沙在特定領域有較好的表現,如戶外的極限運動攝影、移動式存儲等,目前在亞太、北美、歐洲等地區已有較高的知名度與美譽度。2021年,Lexar雷克沙品牌旗下四款產品獲得了紅點大獎(Red Dot Award: Product Design),也再次證明了它的實力。
FORESEE是江波龍電子在2011年打造的行業類存儲品牌,布局商用級、工規級、企業級等領域,給客戶以穩重、耐久的品牌形象,具有專業性、高效、創新等特點。專業性指有自主研發能力,如定制化開發能力;高效指能夠為客戶提供本土化服務,如大規模量產能力;創新指可以發現并及時滿足客戶的潛在需求或特定需求。
2011年,FORESEE便發布了自有品牌的eMMC產品,是國內較早量產eMMC的品牌之一。2012年,FORESEE發布了智能
microSD卡,并于當年獲得了科技部國家重點新產品獎。2020年,FORESEE獲得了中國物聯網大會十大半導體杰出品牌的榮譽。由此可見,FORESEE從產品、技術到品牌力,都有其獨特的優勢。
以豐富經驗穩定供應聯手國內廠商打造自主產品
在與國內廠商合作方面,陶維毅表示,目前國內Flash顆粒以及DRAM顆粒主要兩大原材料供應商,一個是長江存儲,另一個是合肥長鑫,此外還有紫光國芯等廠商。目前國內的Flash顆粒以及DRAM顆粒,主要集中在國內市場,但陶維毅表示未來在國際市場上會有更大的需求。隨著我國存儲原材料供應商的技術以及量產能力的提升,國產顆粒會覆蓋到越來越廣的領域中。
目前,江波龍電子與長江存儲、合肥長鑫建立了緊密的合作伙伴關系,如FORESEE去年推出了面向信創市場的固態硬盤產品,搭載了長江存儲的存儲顆粒。在內存產品上,也有使用合肥長鑫顆粒的產品。
除了國產供應鏈,產能緊張也是今年大家關心的話題。由于半導體市場長期處于供需失衡的狀態,許多芯片產品產能極為緊張,如何為下游客戶維持穩定供應,成為各個企業的難題。
對此,陶維毅表示,
集成電路產品強調“強計劃、保供應”,這兩個特性是集成電路包括IC領域非常重要的兩個特點。江波龍電子創立至今已有22年,隨著研發實力和公司運營能力的積累,熟知集成電路產業產品波動的特點,會有一定的預判性。
同時,江波龍電子在企業運營時會與下游客戶強調產品的計劃性,也會及時向客戶提示上游供應可能出現的問題。比如,當初發現供應鏈趨緊的情況后,江波龍電子及時與客戶積極溝通交換信息,通過大家各自的渠道,互相驗證后確定情況是否屬實。
當對市場的判斷較為清晰準確后,江波龍電子會利用公司自有的財力做一些資源儲備,比如盡早下訂單采購原材料,同時也會與客戶探討雙方可以接受的方式,提前鎖定一些原材料供應,這樣當客戶有需求的時候,就能夠以比較平緩與從容的方式進行供應,這也是江波龍電子用多年來的經驗和運營能力為客戶提供的增值服務。
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特性
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信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
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信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
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信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
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信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
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信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
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信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
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28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
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信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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